TGF2819-FL
বিশেষ উল্লেখ
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
Screw
Gain ::
14 dB
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
100 W
Pd - Power Dissipation ::
86 W
Maximum Operating Temperature ::
+ 85 C
Vds - ড্রেন-সোর্স ব্রেকডাউন ভোল্টেজ::
32 ভি
Packaging ::
Tray
Maximum Drain Gate Voltage ::
145 V
Id - Continuous Drain Current ::
7.32 A
Vgs - গেট-উৎস ব্রেকডাউন ভোল্টেজ::
- 2.9 ভি
Manufacturer ::
Qorvo
পরিচিতি
টিজিএফ২৮১৯-এফএল,কোরভো থেকে,আরএফ জেএফইটি ট্রানজিস্টর। আমরা যা অফার করি তা বিশ্ব বাজারে প্রতিযোগিতামূলক মূল্যের,যা মূল এবং নতুন অংশে রয়েছে।আপনি যদি পণ্য সম্পর্কে আরও জানতে চান অথবা কম দামের জন্য আবেদন করতে চান, দয়া করে আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন অনলাইন চ্যাটের মাধ্যমে অথবা আমাদের একটি উদ্ধৃতি পাঠান!
RFQ পাঠান
স্টক:
MOQ: