T1G2028536-FL
![গুণ [#varpname#] কারখানা](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
উত্পাদক:
কোরভো
বর্ণনা:
RF JFET Transistors DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN
শ্রেণী:
ইলেকট্রনিক সেমিকন্ডাক্টর
বিশেষ উল্লেখ
ট্রানজিস্টর পোলারিটি::
এন-চ্যানেল
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
20.8 dB
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
260 W
Pd - Power Dissipation ::
288 W
Maximum Operating Temperature ::
+ 275 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
36 V
Packaging ::
Tray
Maximum Drain Gate Voltage ::
48 V
Id - Continuous Drain Current ::
24 A
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
145 V
Manufacturer ::
Qorvo
পরিচিতি
T1G2028536-FL, Qorvo থেকে, RF JFET ট্রানজিস্টর. আমরা যা অফার করি তা বিশ্ব বাজারে প্রতিযোগিতামূলক মূল্যের, যা মূল এবং নতুন অংশে রয়েছে।আপনি যদি পণ্য সম্পর্কে আরও জানতে চান অথবা কম দামের জন্য আবেদন করতে চান, দয়া করে আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন অনলাইন চ্যাটের মাধ্যমে অথবা আমাদের একটি উদ্ধৃতি পাঠান!
RFQ পাঠান
স্টক:
MOQ: