QPD1015L
বিশেষ উল্লেখ
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
Screw
Gain ::
20 dB
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
70 W
Package / Case ::
NI-360
সর্বোচ্চ অপারেটিং তাপমাত্রা::
+ 85 সে
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
50 V
Packaging ::
Tray
Id - Continuous Drain Current ::
2.5 A
Vgs - গেট-উৎস ব্রেকডাউন ভোল্টেজ::
145 ভি
Pd - Power Dissipation ::
64 W
প্রস্তুতকারক::
কোরভো
পরিচিতি
QPD1015L, Qorvo থেকে, RF JFET ট্রানজিস্টর. আমরা যা অফার করি তা বিশ্ব বাজারে প্রতিযোগিতামূলক মূল্য আছে, যা মূল এবং নতুন অংশে রয়েছে।আপনি যদি পণ্য সম্পর্কে আরও জানতে চান অথবা কম দামের জন্য আবেদন করতে চান, দয়া করে আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন অনলাইন চ্যাটের মাধ্যমে অথবা আমাদের একটি উদ্ধৃতি পাঠান!
RFQ পাঠান
স্টক:
MOQ: