T1G2028536-FS
বিশেষ উল্লেখ
Transistor Polarity ::
N-Channel
প্রযুক্তি ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
18 dB
ট্রানজিস্টরের ধরন::
HEMT
Output Power ::
260 W
Pd - শক্তি অপচয়::
288 W
Maximum Operating Temperature ::
+ 250 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
36 V
Packaging ::
Tray
Maximum Drain Gate Voltage ::
48 V
Id - Continuous Drain Current ::
24 A
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
145 V
Manufacturer ::
Qorvo
পরিচিতি
T1G2028536-FS, Qorvo থেকে, RF JFET ট্রানজিস্টর. আমরা যা অফার করি তা বৈশ্বিক বাজারে প্রতিযোগিতামূলক মূল্য আছে, যা মূল এবং নতুন অংশে রয়েছে।আপনি যদি পণ্য সম্পর্কে আরও জানতে চান অথবা কম দামের জন্য আবেদন করতে চান, দয়া করে আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন অনলাইন চ্যাটের মাধ্যমে অথবা আমাদের একটি উদ্ধৃতি পাঠান!
RFQ পাঠান
স্টক:
MOQ: