QPD1009
বিশেষ উল্লেখ
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
24 dB
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
17 W
Package / Case ::
QFN-16
Maximum Operating Temperature ::
+ 85 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
50 V
Packaging ::
Tray
Id - Continuous Drain Current ::
700 mA
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
145 V
Pd - Power Dissipation ::
17.5 W
Manufacturer ::
Qorvo
পরিচিতি
QPD1009, Qorvo থেকে, RF JFET ট্রানজিস্টর. আমরা যা অফার করি তা বিশ্ব বাজারে প্রতিযোগিতামূলক মূল্য আছে, যা মূল এবং নতুন অংশে রয়েছে।আপনি যদি পণ্য সম্পর্কে আরও জানতে চান অথবা কম দামের জন্য আবেদন করতে চান, দয়া করে আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন অনলাইন চ্যাটের মাধ্যমে অথবা আমাদের একটি উদ্ধৃতি পাঠান!
RFQ পাঠান
স্টক:
MOQ: