TGF2080
বিশেষ উল্লেখ
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 7 V
Technology ::
GaAs
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
11.5 dB
Transistor Type ::
pHEMT
Pd - Power Dissipation ::
4.2 W
Package / Case ::
0.41 mm x 0.34 mm x 0.1 mm
Maximum Operating Temperature ::
+ 150 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
12 V
Packaging ::
Tray
Maximum Drain Gate Voltage ::
- 12 V
আইডি - ক্রমাগত ড্রেন কারেন্ট::
259 mA
Manufacturer ::
Qorvo
পরিচিতি
টিজিএফ ২০৮০,কোরভোর,আরএফ জেএফইটি ট্রানজিস্টর। আমরা যা অফার করি তা বিশ্ব বাজারে প্রতিযোগিতামূলক দামের,যা মূল এবং নতুন অংশে রয়েছে।আপনি যদি পণ্য সম্পর্কে আরও জানতে চান অথবা কম দামের জন্য আবেদন করতে চান, দয়া করে আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন অনলাইন চ্যাটের মাধ্যমে অথবা আমাদের একটি উদ্ধৃতি পাঠান!
RFQ পাঠান
স্টক:
MOQ: