TGF2929-HM
বিশেষ উল্লেখ
Transistor Polarity ::
N-Channel
প্রযুক্তি ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
মাউন্ট শৈলী::
এসএমডি/এসএমটি
Gain ::
17.4 dB
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
132 W
Package / Case ::
Flange Ceramic-2
Maximum Operating Temperature ::
+ 85 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
50 V
Packaging ::
Waffle
Id - Continuous Drain Current ::
7.2 A
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 2.8 V
Pd - Power Dissipation ::
140 W
Manufacturer ::
Qorvo
পরিচিতি
টিজিএফ২৯২৯-এইচএম,কোরভো থেকে,এটি আরএফ জেএফইটি ট্রানজিস্টর। আমরা যা অফার করি তা বৈশ্বিক বাজারে প্রতিযোগিতামূলক মূল্যের,যা মূল এবং নতুন অংশে রয়েছে।আপনি যদি পণ্য সম্পর্কে আরও জানতে চান অথবা কম দামের জন্য আবেদন করতে চান, দয়া করে আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন অনলাইন চ্যাটের মাধ্যমে অথবা আমাদের একটি উদ্ধৃতি পাঠান!
RFQ পাঠান
স্টক:
MOQ: