A3G26H502W17SR3

উত্পাদক:
NXP USA Inc.
বর্ণনা:
RF Power Discrete Transistors
শ্রেণী:
ইলেকট্রনিক সেমিকন্ডাক্টর
বিশেষ উল্লেখ
Product Category ::
RF Amplifier
Gain (dB) ::
13.2
Avg Power (W) ::
80
Frequency Min (GHz) ::
2.496
Process ::
GaN
Frequency Max (GHz) ::
2.69
Manufacturer ::
NXP USA Inc.
পরিচিতি
এনএক্সপি ইউএসএ ইনকর্পোরেটেডের A3G26H502W17SR3, একটি আরএফ এম্প্লিফায়ার। আমরা যা অফার করি তা বিশ্ব বাজারে প্রতিযোগিতামূলক মূল্যের, যা মূল এবং নতুন অংশে রয়েছে।আপনি যদি পণ্য সম্পর্কে আরও জানতে চান অথবা কম দামের জন্য আবেদন করতে চান, দয়া করে আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন অনলাইন চ্যাটের মাধ্যমে অথবা আমাদের একটি উদ্ধৃতি পাঠান!
RFQ পাঠান
স্টক:
MOQ: